5.1 INTRODUCTION
1.Tujuan
·
Untuk memahami tentang FET
·
Untuk memenuhi tugas Mata kuliah Elektronika
· Dapat mensimulasikan Rangkaian pada Proteus
2.Komponen
ALAT
| No | Nama Alat | Spesifikasi | Jumlah |
| 1 | Gambar layout komponen | 1 set | |
| 2 | Ground | 1 set | |
| 3 | power | 1 buah | |
| 4 | Solder | 1 buah | |
| 5 | Penyedot timah | 1 buah | |
| 6 | Tang potong | 1 buah | |
| 7 | Tang lancip | 1 buah | |
| 8 | Mistar baja | 1 buah | |
| 9 | Landasan solder | 1 buah | |
| 10 | Mata bor | 1 buah |
Perbedaan utama antara kedua jenis transistor ini
adalah Transistor
BJT adalah perangkat yang dikendalikan arus dan fungsi dari dua
operator,elektron dan hole. seperti
yang digambarkan pada Gambar 5.1a, sedangkan JFET transistor
adalah perangkat yang dikendalikan tegangan.
FET adalah perangkat unipolar tergantung hanya pada
konduksi elektron (saluran-n) atau lubang (saluran-p), seperti yang ditunjukkan
pada Gambar 5.1b.
karakteristik penting dari FET adalah high input impedance. — karakteristik yang sangat penting dalam desain ac linier sistem penguat. suhu lebih stabil daripada BJT, dan FET biasanya lebih kecil dalam konstruksi daripada BJT, membuatnya sangat berguna dalam chip sirkuit terintegrasi (IC).Namun, dapat membuat mereka lebih sensitif terhadap penanganan daripada BJT, sedangkan transistor BJT memiliki nilai yang jauh lebih tinggi kepekaan terhadap perubahan sinyal yang diterapkan. variasi arus keluaran biasanya jauh lebih banyak untuk BJT dari FET untuk perubahan yang sama pada tegangan yang diterapkan.
Jucntion field-effect tansistor (JFET) and the
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)Kategori MOSFET
selanjutnya dipecah menjadi penipisan dan peningkatan.
Transistor MOSFET menjadi salah satu yang paling banyak
digunakan dalam desain dan konstruksi sirkuit terintegrasi untuk komputer
digital. Stabilitas termal dan karakteristik umum lainnya membuat MOSFET sangat
populer dalam desain sirkuit komputer.
Dr. Ian Munro Ross (depan) dan G. C. Dacey bersama-sama mengembangkan prosedur eksperimental untuk mengukur karakteristik dari transistor efek lapangan pada tahun 1955.
(Courtesy of
AT&T Archives.)
4. Prinsip Rangkaian
Cara Kerja JFET pada prinsipnya
seperti kran air yang mengatur aliran air pada pipa. Elektron atau Hole akan
mengalir dari Terminal Source (S) ke Terminal Drain (D). Arus pada Outputnya
yaitu Arus Drain (ID) akan sama dengan Arus Inputnya yaitu Arus Source
(IS). Prinsip kerja tersebut sama dengan prinsip kerja sebuah pipa air di rumah
kita dengan asumsi tidak ada kebocoran pada pipa air kita.
Besarnya arus listrik tergantung pada
tinggi rendahnya Tegangan yang diberikan pada Terminal Gerbangnya (GATE (G)).
Fluktuasi Tegangan pada Terminal Gate (VG) akan menyebabkan perubahan pada arus
listrik yang melalui saluran IS atau ID. Fluktuasi yang kecil dapat menyebabkan
variasi yang cukup besar pada arus aliran pembawa muatan yang melalui JFET
tersebut. Dengan demikian terjadi penguatan Tegangan pada sebuah rangkaian
Elektronika.
5. Langkah Percobaan
·
Step 1:SUSUN dan SIAPKAN KOMPONEN
·
Step 2:RANGKAI KOMPONEN
·
Step 3: BUAT SIMULASI PADA PROTEUS
·
Step 4: MENCOBA RANGKAIAN
·
Step 5: MENERAPKAN RANGKAIAN
6.
Gambar Rangkaian
Ketika belum disimulasikan
Ketika
rangkaian disimulasikan
7. Video Simulasi
8. Soal
A. Example
1.
Gambar 2.5 (a) Rangkaian bias untuk menggambar karakteristik
JFET (b)
Karakteristik arus Drain terhadap tegangan VDS.
JFET pada gambar 2.5 (a) memiliki VGS(off) = -4V dan IDSS = 12
mA. Tentukan nilai minimum dari tegangan VDD yang dapat menempatkan FET pada
daerah arus konstan, jika RD = 560 Ω dan VGS = 0 !
Penyelesaian :
Karena VGS(off) = -4 V, maka VP = 4V, yang merupakan juga
nilai minimum dari VDS agar FET bekerja memiliki arus yang konstan.
Dengan VGS = 0, maka arus konstannya adalah IDSS = 12 mA.
Tegangan yang ada pada RD akan sama dengan
VRD = (12mA)(560Ω) = 6,7 V
Dengan demikian tegangan VDD harus sama dengan
VDD = VDS + VRD = 4V + 6,7V = 10,7 V
Nilai
tegangan ini adalah nilai minimum VDD untuk membuat VDS = VP dan menempatkan
FET pada daerah arus konstan.
2.Lembaran data untuk JFET N-Channel MPF3821 menunjukkan nilai
maksimum dari IGSS = -0,1nA pada 250C untuk VGS = -30V dan nilai maksimum dari
IGSS = -100nA pada 1500C untuk VGS = -30V. Tentukan resistansi input minimum
pada 250C !
Penyelesaian :
B. Problem
1). Sebuah JFET 2n5457 memiliki spesifikasi sebagai berikut : IDSS(min) = 1 mA, IDSS(maks) = 5 mA, VGS(off)(min) = -0,5V dan VGS(off)(maks) = -6V. Tentukan resistansi untuk pembiasan sendiri bagi JFET ini !
Penyelesaian :
Nilai-nilai
resistansi yang mungkin untuk JFET ini adalah
2). JFET MPF3821 yang ditunjukkan pada gambar 2.10 (a)
memiliki kurva transkonduktansi seperti gambar 2.10 (b). Dari kurva tersebut
tentukan VS dan ID ! Dari hasil ini tentukan nilai VDS !
Penyelesaian :
Gambarkan garis yang menyatakan R = 2 K, dari titik 0
ke titik (-4V,2mA). Dari gambar tersebut (gambar 2.11 (a)) dapat dilihat bahwa
VGS = -1,8V dan ID = 0,8mA. Karena VG = 0 dan VS=1,8V, maka
VRD = ID.RD = (0,8mA)(2,7KΩ) = 2,16V.
VD = VDD – VRD = 9V – 2,16V = 6,84V.
VDS = VD – VS = 6,84V – 1,8V = 5,04V.
C. Pilihan Ganda
1. JFET terdiri dari dua jenis yaitu
a. NPN dan PNP
b. Saluran N dan P
c. Jenis D dan E
d. Tidak ada jawaban benar
Jawab : b. Saluran N dan P
2.Pada saat VGS = VGS(OFF), maka ID = .... ?
a. IDSS
b. Nol
c. Maksimum
d. VP
Jawab : b. Nol
9. Link
Download
download video di sini
download file rangkaian di sini
download file html disini
Tidak ada komentar:
Posting Komentar